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J-GLOBAL ID：201202261809171227   整理番号：12A0937338

ひずみエンジニアリングによるMoS₂ナノリボンの電子的及び磁気的特性の調節

Tuning the Electronic and Magnetic Properties of MoS₂ Nanoribbons by Strain Engineering

著者 (2件)： PAN Hui (ASTAR, Singapore) ,  ZHANG Yong-Wei (ASTAR, Singapore)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 21  ページ： 11752-11757  発行年： 2012年05月31日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なったエッジ構造のMoS₂ナノリボンの電子的及び磁気的特性に対するひずみの効果に関する第1原理計算を提出した。著者らはアームチェアナノリボンのバンドギャップはひずみの増加と共に減少することを示した。著者らはさらに,磁気的状態及びジグザグMoS₂ナノリボンモーメントはひずみ下で強く増進されることを示した。zz-MoS₂-NR-s及びzz-MoS₂-NR-uにおける磁気モーメントの増分は200%にまでなった。MoS₂ナノリボンはバンドギャップを制御するためにひずみを適用し,磁気モーメントを操作することによりナノデバイス,スピントロニクス,光起電力電池に応用を見出すことができるかも知れない。

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  *ナノ構造 ,  *リボン結晶 ,  *電子構造 ,  *磁気的性質 ,  *分子構造 ,  *効果 ,  バンドギャップ ,  磁気モーメント ,  固体素子 ,  スピントロニクス ,  光電池 ,  利用 ,  *端部
準シソーラス用語： ナノデバイス ,  *ナノリボン ,  *歪効果

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (7件)： ひずみ ,  エンジニアリング ,  MoS2 ,  ナノリボン ,  電子 ,  磁気的特性 ,  調節