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J-GLOBAL ID：201202261852487459   整理番号：12A1154020

イオンクラスタービーム蒸着法(Ionized Cluster Beam Deposition and Epitaxy)その4

著者 (1件)： 林昭 (r-ICB蒸着装置開発研)
資料名： コンバーテック  (Convertech)
巻： 40  号： 8  ページ： 108-110  発行年： 2012年08月15日 
JST資料番号： Y0873A  ISSN： 0911-2316  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： イオンクラスタービーム蒸着法解説の第4回である。前回に続き,イオンクラスタービーム蒸着フィルムとその結晶構造を引き続き解説した。磁性膜(マンガンビスマスフィルム,ガドリニウム鉄フィルム)並びに熱電フィルム(鉛テルルフィルム,亜鉛アンチモンフィルム,鉄シリコンフィルム)それぞれの製法,構造,特徴をのべた。

シソーラス用語： *イオンビーム蒸着 ,  *蒸着膜
準シソーラス用語： イオン化クラスタビーム蒸着

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X)

タイトルに関連する用語 (3件)： イオン ,  クラスタービーム ,  蒸着