SHIMIZU Sunao について
RIKEN Advanced Sci. Inst., Saitama, JPN について
YOSHIMI Ryutaro について
Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について
HATANO Takafumi について
RIKEN Advanced Sci. Inst., Saitama, JPN について
TAKAHASHI Kei S. について
RIKEN Advanced Sci. Inst., Saitama, JPN について
TSUKAZAKI Atsushi について
Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について
KAWASAKI Masashi について
RIKEN Advanced Sci. Inst., Saitama, JPN について
KAWASAKI Masashi について
Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について
IWASA Yoshihiro について
RIKEN Advanced Sci. Inst., Saitama, JPN について
IWASA Yoshihiro について
Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について
TOKURA Yoshinori について
RIKEN Advanced Sci. Inst., Saitama, JPN について
TOKURA Yoshinori について
Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics について
絶縁材料 について
半導体薄膜 について
置換型固溶体 について
ビスマス化合物 について
アンチモン化合物 について
テルル化物 について
MBE成長 について
電気抵抗 について
Hall効果 について
トランジスタ について
制御 について
電気伝導 について
絶縁体 について
トポロジカル絶縁体 について
Hall抵抗 について
ゲート制御 について
電気二重層トランジスタ について
表面伝導 について
半導体薄膜 について
半導体結晶の電気伝導 について
MBE成長 について
トポロジカル絶縁体 について
薄膜 について
輸送 について
ゲート制御 について