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J-GLOBAL ID：201202261870266036   整理番号：12A1346931

MBE成長したトポロジカル絶縁体(Bi_1-xSb_x)₂Te₃薄膜における表面輸送のゲート制御

Gate control of surface transport in MBE-grown topological insulator (Bi_1-xSb_x)₂Te₃ thin films

著者 (11件)： SHIMIZU Sunao (RIKEN Advanced Sci. Inst., Saitama, JPN) ,  YOSHIMI Ryutaro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HATANO Takafumi (RIKEN Advanced Sci. Inst., Saitama, JPN) ,  TAKAHASHI Kei S. (RIKEN Advanced Sci. Inst., Saitama, JPN) ,  TSUKAZAKI Atsushi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KAWASAKI Masashi (RIKEN Advanced Sci. Inst., Saitama, JPN) ,  KAWASAKI Masashi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  IWASA Yoshihiro (RIKEN Advanced Sci. Inst., Saitama, JPN) ,  IWASA Yoshihiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TOKURA Yoshinori (RIKEN Advanced Sci. Inst., Saitama, JPN) ,  TOKURA Yoshinori (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 86  号： 4  ページ： 045319.1-045319.4  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 絶縁材料 ,  *半導体薄膜 ,  置換型固溶体 ,  ビスマス化合物 ,  アンチモン化合物 ,  テルル化物 ,  MBE成長 ,  *電気抵抗 ,  *Hall効果 ,  トランジスタ ,  制御 ,  電気伝導 ,  絶縁体 ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： Hall抵抗 ,  ゲート制御 ,  電気二重層トランジスタ ,  表面伝導

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： MBE成長 ,  トポロジカル絶縁体 ,  薄膜 ,  輸送 ,  ゲート制御