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J-GLOBAL ID：201202262013032892   整理番号：12A1514796

1.4kV破壊電圧のAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ・オン・シリコン基板

1.4-kV Breakdown Voltage for AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors on Silicon Substrate

著者 (5件)： SELVARAJ Susai Lawrence (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  SELVARAJ Susai Lawrence (Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore, SGP) ,  WATANABE Arata (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  WAKEJIMA Akio (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  EGAWA Takashi (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 10  ページ： 1375-1377  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiとGaN間の格子ミスマッチを解消するためのバッファ層を有するAlGaN/GaNヘテロ構造のHEMTを作成した。バッファ層厚の増加により移動度とシート抵抗が低下し,厚いバッファ層上に成長したエピ層の転移密度は9.7x10⁷cm^-2である。作成したソースドレイン長20μm HEMTの破壊電圧(3TBV)は1.4kV,性能指数(FOM)は2.6x10⁸V²・Ω^-1cm^-2である。本方式で作成したデバイスは高電力応用に最適である。

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  *ウエハ【IC】 ,  素子構造 ,  ヘテロ接合 ,  キャリア移動度 ,  シート抵抗 ,  バッファ層 ,  層 ,  転位密度 ,  電圧
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  エピ層 ,  *シリコン基板 ,  *降伏電圧 ,  ヘテロ構造

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 破壊電圧 ,  AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  シリコン基板