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J-GLOBAL ID：201202262095153897   整理番号：12A1439348

レジストからSiハードマスク層への酸の拡散

Diffusion of Acid from Resist to Si-hardmask Layer

著者 (6件)： SHIRAI Masamitsu (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  TAKEDA Hiroki (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  HATSUSE Tatsuya (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  OKAMURA Haruyuki (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  WAKAYAMA Hiroyuki (Nissan Chemical Ind., LTD., Toyama, JPN) ,  NAKAJIMA Makoto (Nissan Chemical Ind., LTD., Toyama, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8325  ページ： 83251L.1-83251L.6  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学増幅(CA)レジストプロセスの実際の作業では,光化学反応により生成する酸がレジスト基材内を拡散して脱保護反応を誘導する。その酸の濃度は露光後ベーク(PEB)処理中に変化することはない。実際のレジスト処理中にはボトム反射防止コーティング(BARC)がレジストパターン形成の際の反射率抑制にとって重要である。しかし,場合によっては,レジスト層内に光化学生成する酸がBARC層内にまで拡散して,レジストパターンのフッティング(境界ボケ)現象の原因となる。本報告は,CAレジスト層からSiハードマスク(Si-HM)層へのこうした酸の拡散について検討した。Si-HMは多重層パターン形成プロセスにとって必要不可欠な工程である。レジスト層内の酸濃度を,迅速走査FT-IRスペクトロスコピーにより測定して,CAレジストの脱保護反応の動力学に基づいて推定した。そして,レジスト層中における酸がSi-HM層内部に向かって拡散する現象を明らかにした。この酸の拡散効率がSi-HM架橋密度とレジストの化学構造に依存していることが判明した。

シソーラス用語： 半導体プロセス ,  *フォトリソグラフィー ,  マスク ,  *回路パターン形成 ,  ケイ素 ,  酸 ,  *拡散過程 ,  化学増幅レジスト ,  反射防止膜 ,  露光 ,  熱処理 ,  露光後ベーク
準シソーラス用語： ハードマスク ,  露光後ベーキング

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： レジスト ,  Si ,  マスク層 ,  酸 ,  拡散