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J-GLOBAL ID：201202262119548022   整理番号：12A0256694

近赤外および中間赤外サブバンド間遷移のための高品質AlGaN/GaN超格子

High-quality AlGaN/GaN superlattices for near- and mid-infrared intersubband transitions

著者 (1件)： BAYRAM C. (IBM Res., T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 1  ページ： 013514  発行年： 2012年01月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来の成長法よりも成長速度が3倍高いパルス・レイヤー-バイ-レイヤー堆積(PLLD)法を開発し,有機金属化学気相堆積によりAl比率の高い高品質規則化Al_xGa_1-xN(x<0.5)を得た。X線回折,光ルミネセンス測定,光透過測定により,規則化Al_xGa_1-xNのAl比率,構造の均一性,光学品質が制御されていることが確認された。デバイスへ使用するため,Al_xGa_1-xN障壁とGaN井戸からなる超格子を作製し,赤外領域におけるサブバンド間遷移を調べた。井戸幅と障壁のAl比率がサブバンド間吸収に及ぼす効果を報告した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *半導体材料 ,  窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  *人工超格子 ,  *薄膜成長 ,  MOCVD ,  *電子遷移 ,  バンド構造 ,  近赤外線 ,  光ルミネセンス ,  スペクトル ,  光透過 ,  結晶度 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： *LBL成長 ,  *窒化ガリウムアルミニウム ,  中間赤外線 ,  透過スペクトル ,  サブバンド間遷移

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (7件)： 近赤外 ,  赤外 ,  サブバンド間遷移 ,  高品質 ,  AlGaN ,  GaN ,  超格子