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J-GLOBAL ID：201202262153336077   整理番号：12A0430759

有限要素シミュレーションを用いて計算した磁気ナノ接触素子の電気的性質

Electrical properties of magnetic nanocontact devices computed using finite-element simulations

著者 (3件)： PETIT-WATELOT S. (Inst. d’Electronique Fondamentale, Univ. Paris-Sud, 91405 Orsay, FRA) ,  OTXOA R. M. (Inst. d’Electronique Fondamentale, Univ. Paris-Sud, 91405 Orsay, FRA) ,  MANFRINI M. (IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 8  ページ： 083507  発行年： 2012年02月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁気ナノ接触系における電流フロー及び関連するOersted場を有限要素シミュレーションにより計算した。ナノ接触下では電流分布は膜平面に主に垂直で,フローはナノ接触領域の外側の膜面に基本的にあることが分かった。円形ナノ接触に対して,非対称矩形素子中の電流に対して円筒近似が有効である基準を提供した。誘導場と電流分布の性質はこのような系におけるスピントルク駆動磁化動力学の理解にとって重要である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 計算機シミュレーション ,  有限要素法 ,  *点接触 ,  *電流分布 ,  トルク ,  *磁化 ,  磁場 ,  電流密度 ,  素子構造
準シソーラス用語： スピントルク ,  スピンバルブ ,  *ナノ接触 ,  有限要素シミュレーション

分類 (1件)： 磁電デバイス  (NC03100X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 有限要素シミュレーション ,  計算 ,  磁気 ,  ナノ接触 ,  電気的性質