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J-GLOBAL ID:201202262181123534   整理番号:12A0997195

セリウムをドープしたビスマス系高Tc超伝導体:合成と超伝導特性の研究

Cerium Doped Bismuth Based High Tc Superconductor: Synthesis and Study of Superconducting Properties
著者 (2件):
資料名:
巻: 510/511  ページ: 75-79  発行年: 2012年 
JST資料番号: D0744C  ISSN: 1013-9826  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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セリウムをドープしたビスマス系高Tc超伝導体を合成し,超伝導特性への影響を調べた。ビスマス系高Tc超伝導体のCaサイトをCeで置換した。Bi1.6Pb0.4Sr1.6Ba0.4(Ca1-xCex)2Cu3Ox(x=0.2~0.8)を湿式化学法で合成した。X線回折から生成相はいずれも単相の高TcBi-2223相であった。結晶子サイズは約40nmであった。DC電気抵抗を4端子法で測定し,超伝導転移温度を調べた結果,x=0,0.2,0.4及び0.8では各々112,108,110及び113Kであった。
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分類 (1件):
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酸化物系超伝導体の物性 
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