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J-GLOBAL ID:201202262209211566   整理番号:12A0712353

炭化ホウ素セラミックの低温接合

Low-temperature joining of boron carbide ceramics
著者 (5件):
資料名:
巻: 120  号: 1401  ページ: 207-210 (J-STAGE)  発行年: 2012年 
JST資料番号: F0382A  ISSN: 1882-0743  CODEN: JCSJEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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Al板を用いた炭化ホウ素(B4C)セラミックの低温接合を真空中(10-2-10-4Pa),温度範囲600~200°C,2hにおいて調べた。700~1100°Cで接合した試料で,B4C母材と同等の高い曲げ強さの接合に成功した。走査電子顕微鏡(SEM),電子プローブX線微小分析(EPMA)および透過型電子顕微鏡(TEM)などの各種方法を用い,高強度B4C継手のキャラクタリゼーションを行った。SEMにより,緻密な中間層,亀裂のない界面,およびB4C母材の表面微小亀裂へのAlの浸透が観察された。EPMA分析では,高強度複合材料の中間層の進展をもたらすAlB2やAl3BCなどが,中間層内に反応生成物として存在することを示した。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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セラミック・陶磁器の製造 
引用文献 (14件):
  • 1) F. Thevenot, J. Eur. Ceram. Soc., 6, 205–225 (1990).
  • 2) M. A. Kuzenkova, P. S. Kislyi, B. L. Grabchuk and N. I. Bodnaruk, J. Less-Common Met., 67, 217–223 (1979).
  • 3) B. V. Cockeram, “The diffusion bonding of silicon carbide and boron carbide using refractory metals”, DOE’s Office of Scientific and Technical Information, USDOE Contract No. DE-AC11-98PN38206 (1999).
  • 4) T. Kumazawa, T. Honda, Y. Zhou, H. Miyazaki, H. Hyuga and Y. Yoshizawa, J. Ceram. Soc. Japan, 116, 1319–1321 (2008).
  • 5) H. Miyazaki, Y. Zhou, H. Hyuga, Y. Yoshizawa and T. Kumazawa, J. Eur. Ceram. Soc., 30, 999–1005 (2010).
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