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J-GLOBAL ID:201202262321324136   整理番号:12A0292493

二層Sb/SnO2をパルスUVレーザでアニーリングして透明導電性Sn/Sb-O2薄膜を作製

Preparing transparent conductive Sn/Sb-O2-x thin films by annealing bi-layer Sb/SnO2 with pulse UV laser
著者 (5件):
資料名:
巻: 72  ページ: 29-31  発行年: 2012年04月01日 
JST資料番号: E0935A  ISSN: 0167-577X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Sb/SnO2二層膜をガラス基板にイオンビームスパッタリング堆積(IBSD)と高周波(RF)マグネトロンスパッタリング堆積法で作製した。微妙な転移が期待される特性変調のため,堆積させた二層膜に355nmのパルス紫外(UV)レーザを照射した。膜の光学的,電気的挙動と化学的状態へのレーザ照射による影響をX線光電子分光(XPS)で調べた。レーザ照射後のSb/SnO2の導電率はSnO2と蒸着したままのSb/SnO2薄膜と比べて増加した。レーザ照射したSb/SnO2の光透過率は41%から47%へ増加した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 

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