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J-GLOBAL ID：201202262333885168   整理番号：12A1337063

円錐空洞を有するシリコンナノフィルムにおけるフォノン散乱と熱整流

Thermal rectification and phonon scattering in silicon nanofilm with cone cavity

著者 (2件)： JU Shenghong (Dep. of Engineering Mechanics, Key Lab. for Thermal Sci. and Power Engineering of Ministry of Education, Tsinghua ...) ,  LIANG Xingang (Dep. of Engineering Mechanics, Key Lab. for Thermal Sci. and Power Engineering of Ministry of Education, Tsinghua ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 5  ページ： 054312-054312-5  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱整流はエレクトロニクスの熱管理やエネルギー倹約に応用できる。ここでは,非平衡分子動力学シミュレーションによって,標題の熱整流を調べた。円錐空洞により生じる熱抵抗は10^-9m²KW^-1のオーダである。熱流方向が反転すると,この熱抵抗は300~1100Kで平均的に約11%異なる。フォノン波束動力学シミュレーションによれば,横フォノンが縦フォノンの空洞散乱により生成する。フォノン輸送方向が反転すると,平均透過係数が全ての周波数域で約14%変化する。これが円錐空洞を有するシリコン膜の熱整流の主な原因である。熱整流は空洞のアスペクト比に依存する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ナノ構造 ,  超薄膜 ,  空洞 ,  整流 ,  熱抵抗 ,  *熱流 ,  散乱 ,  *フォノン ,  波束 ,  透過率 ,  計算機シミュレーション ,  半導体薄膜 ,  ナノシート
準シソーラス用語： ナノフィルム ,  フォノン散乱 ,  熱整流 ,  分子動力学シミュレーション

分類 (2件)： 格子振動の熱的・統計的性質  (BL03050G) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 円錐 ,  空洞 ,  シリコン ,  ナノフィルム ,  フォノン散乱 ,  熱整流