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J-GLOBAL ID：201202262362529842   整理番号：12A1175194

パルスレーザアブレーションにより堆積された稠密充填ZnO:Alサブミクロンロッドの合成と特性

Synthesis and properties of close packed ZnO:Al submicro-rods deposited by pulsed laser ablation

著者 (2件)： LIU Z.w. (School of Materials Sci. and Engineering, South China Univ. of Technol., 381 Wushan Road, Guangzhou, Guangdong ...) ,  ONG C.k. (Center for Superconducting & Magnetic Materials, Dep. of Physics, National Univ. of Singapore, Singapore 117542, SGP)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 86  号： 12  ページ： 1924-1929  発行年： 2012年07月20日 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 垂直整列サブミクロンロッドから成るAlドープのZnO(AZO)半導体薄膜を在来のパルスレーザアブレーションによりシリコン基板上に堆積させた。このプロセスに触媒は用いなかった。ロッド構造が比較的高い酸素圧力(1ないし20Torr)と相対的に高い基板温度(550ないし700°C)で成長することが見出された。比較的高いAl濃度をもつこれらAlドープZnOロッドで,低抵抗率と高いキャリア密度が得られた。Alドーピングを増すと,抵抗率が減少し,キャリア密度が増加した。光ルミネセンス特性測定は,少量のAlドーピングによるUV発光の増加と,さらにAl濃度を増すことによるUV発光の減少を示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： レーザアブレーション ,  *レーザ蒸着 ,  *酸化亜鉛 ,  *アルミニウム ,  *ドーピング ,  半導体薄膜 ,  透明導電膜 ,  化合物半導体 ,  ウエハ【IC】 ,  ナノロッド ,  *電気抵抗率 ,  *キャリア密度 ,  *パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： シリコン基板

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： パルスレーザアブレーション ,  堆積 ,  ZnO ,  Al