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J-GLOBAL ID：201202262472648960   整理番号：12A0121781

単結晶β-Ga₂O₃(010)基板上の酸化ガリウム(Ga₂O₃)金属-半導体電界効果トランジスタ

Gallium oxide (Ga₂O₃) metal-semiconductor field-effect transistors on single-crystal β-Ga₂O₃ (010) substrates

著者 (5件)： HIGASHIWAKI Masataka (National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN) ,  SASAKI Kohei (Tamura Co., Ltd., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN) ,  KURAMATA Akito (Tamura Co., Ltd., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN) ,  MASUI Takekazu (Koha Co., Ltd., 2-6-8 Kouyama, Nerima, Tokyo 176-0022, JPN) ,  YAMAKOSHI Shigenobu (Tamura Co., Ltd., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 1  ページ： 013504  発行年： 2012年01月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶酸化ガリウム(Ga₂O₃)金属-半導体電界効果トランジスタ(MESFET)の実証を報告した。SnドープGa₂O₃層を,分子ビームエピタクシーにより半絶縁性β-Ga₂O₃(010)基板上に成長させた。4μmのゲート長及び20μmのソースドレイン間隔をもつ円形MESFETを作製した。素子は,ゲート電圧(V_GS)スイングによるドレイン電流変調により表わされる理想的なトランジスタ作用を示した。完全なドレイン電流ピンチオフ特性も,V_GS<-20Vに対して得,三端子オフ状態破壊電圧は250V以上であった。オフ状態における3μAの低いドレイン漏れ電流は,約10000の高いオン/オフドレイン電流比をもたらした。初期段階において得たこれらの素子特性は,将来のパワー素子に対するGa₂O₃ベース電気素子の大きな可能性を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MESFET ,  *酸化ガリウム ,  *スズ ,  *ドーピング ,  MBE成長 ,  円形 ,  電流制御 ,  ピンチオフ ,  漏れ電流 ,  絶縁破壊電圧
準シソーラス用語： 金属-半導体電界効果トランジスタ ,  ゲート電圧 ,  電流変調 ,  破壊電圧 ,  オンオフ比

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単結晶 ,  β-Ga2O3 ,  酸化ガリウム ,  Ga2O3 ,  金属-半導体電界効果トランジスタ