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J-GLOBAL ID：201202262478281830   整理番号：12A1212772

直接ナノ操作によるZnO半導体ナノリングの機械的特性と電気的特性の評価

Mechanical and electrical characterization of semiconducting ZnO nanorings by direct nano-manipulation

著者 (9件)： MAI Wenjie (Dep. of Physics and Siyuan Lab., Jinan Univ., Guangzhou, Guangdong 510632, CHN) ,  ZHANG Long (Dep. of Physics and Siyuan Lab., Jinan Univ., Guangzhou, Guangdong 510632, CHN) ,  GU Yudong (School of Materials Sci. and Engineering, Georgia Inst. of Technol., Atlanta, Georgia 30332-0245, USA) ,  HUANG Shiqing (Dep. of Mechanics and Civil Engineering, Jinan Univ., Guangzhou, Guangdong 510632, CHN) ,  ZHANG Zongfu (Dep. of Mechanics and Civil Engineering, Jinan Univ., Guangzhou, Guangdong 510632, CHN) ,  LAO Changshi (School of Materials Sci. and Engineering, Georgia Inst. of Technol., Atlanta, Georgia 30332-0245, USA) ,  YANG Peihua (Dep. of Physics and Siyuan Lab., Jinan Univ., Guangzhou, Guangdong 510632, CHN) ,  QIANG Pengfei (Dep. of Physics and Siyuan Lab., Jinan Univ., Guangzhou, Guangdong 510632, CHN) ,  CHEN Zhongwei (Dep. of Physics and Siyuan Lab., Jinan Univ., Guangzhou, Guangdong 510632, CHN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 8  ページ： 081910-081910-4  発行年： 2012年08月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査電子顕微鏡チャンバ内部のナノマニプレータ装置の支援で,ZnOナノリングの機械的特性と電気的特性を調べた。破壊したナノリングのほぼまっすぐなナノベルトへの変化は,以前に提案した静電力誘起自己コイル化モデルを支持する強力な証拠であり,ここでの計算機シミュレーションでは破壊力が25-30μNであることを示していた。マニプレータのタングステンチップとZnOナノリングとの接触はSchottky型であることを確認した。従って,圧縮下でのナノリングのI-V曲線の変化はSchottky障壁高さの変化によるとした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体金属接合 ,  薄膜 ,  破壊 ,  圧縮 ,  電流電圧特性 ,  Schottky障壁 ,  コイル状体 ,  圧電気 ,  力 ,  マニピュレータ
準シソーラス用語： *ナノリング ,  ナノベルト ,  圧電効果 ,  静電力

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノ操作 ,  ZnO ,  ナノリング ,  機械的特性 ,  電気的特性 ,  評価