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J-GLOBAL ID：201202262592420025   整理番号：12A0868531

高発光のSi系LED用ナノスケールのキャリアインゼクタ

Nanoscale carrier injectors for high luminescence Si-based LEDs

著者 (3件)： PICCOLO G. (MESA+ Inst. for Nanotechnology, Univ. of Twente, P.O. Box 217, 7500 AE Enschede, NLD) ,  KOVALGIN A.y. (MESA+ Inst. for Nanotechnology, Univ. of Twente, P.O. Box 217, 7500 AE Enschede, NLD) ,  SCHMITZ J. (MESA+ Inst. for Nanotechnology, Univ. of Twente, P.O. Box 217, 7500 AE Enschede, NLD)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 74  ページ： 43-48  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,p型とn型のキャリア用のインゼクタのサイズの幾何学的スケーリングにより,Si系p-i-n発光ダイオード(LED)の発光増加を提示する。シミュレーションと筆者らの実現したデバイスの電気的および光学的性質は,筆者らの結果を立証した。インゼクタのサイズを小さくすることは,インゼクタ領域内の少数キャリアの漏れを減少し,デバイスの本質的体積内の効果的な放射再結合のためのより多くのキャリアを利用する。参照の大規模およびナノサイズのインゼクタのp-i-nダイオードの間で比較を行った。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *インゼクタ ,  *キャリア ,  半導体チップ ,  素子構造 ,  放射強度 ,  シミュレーション ,  電気的性質 ,  光学的性質 ,  再結合 ,  キャリア密度 ,  発光分光法
準シソーラス用語： LED ,  p-i-n素子構造 ,  Siチップ ,  ナノスケール ,  発光強度 ,  放射再結合

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  LED ,  ナノスケール ,  キャリア ,  インゼクタ