公称上等しい吸収体におけるCu(In,Ga)Se<sub>2</sub>太陽電池性能の偏差

KNECHT Robin; PARISI Juergen; RIEDEL Ingo; SCHAEFFLER Raymund; DIMMLER Bernhard

文献

J-GLOBAL ID：201202263000715660 整理番号：12A1584298

公称上等しい吸収体におけるCu(In,Ga)Se₂太陽電池性能の偏差

Investigation of Cu(In,Ga)Se₂ Solar Cell Performance Deviations in Nominally Equal Absorbers

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資料名：
巻： 51 号： 10,Issue 2 ページ： 10NC07.1-10NC07.4 発行年： 2012年10月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

Cu(In,Ga)Se₂(CIGSe)太陽電池は,吸収体膜の同一の公称組成と厚さを持って,2つの離れた生産ラインで工業的規模の同時蒸着で独立して作製された。デバイス特性は同じであると考えられるが,開路電圧(ΔVOC=40mV)と曲線因子(ΔFF=4%)のそれぞれの値に大きな偏差が認められ,一方で,短絡電流は原則的に同じであった。基本的なデバイス解析,空間電荷や欠陥分光,過渡フォトルミネッセンス及び吸収膜の化学的勾配の綿密なプロファイリングを行った。実験の結果を用いて,シミュレーションベースラインを設定する。これにより,明らかな偏差は,バンドギャップの等級付け変動と同様に,CIGSe吸収体内の異なる濃度を有する深い再結合中心の存在に関係すると結論できる。(翻訳著者抄録)

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太陽電池 , 半導体薄膜

引用文献 (14件)：

1) M.A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta, and E.D. Dunlop: Prog. Photovoltaics 19(2011)565.
2) M. Burgelman, P. Nollet, and S. Degrave: Thin Solid Films 361-362(2000)527.
3) M. Powalla, M. Cemernjak, J. Eberhardt, F. Kessler, R. Kniese, H.D. Mohring, and B. Dimmler: Sol. Energy Mater. Sol. Cells 90(2006)3158.
4) J. Parisi, D. Hilburger, M. Schmitt, and U. Rau: Sol. Energy Mater. Sol. Cells 50(1998)79.
5) W. Metzger, I.L. Repins, and M.A. Contreras: Appl. Phys. Lett. 93(2008)022110.

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公称上等しい吸収体におけるCu(In,Ga)Se2太陽電池性能の偏差

公称上等しい吸収体におけるCu(In,Ga)Se₂太陽電池性能の偏差