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J-GLOBAL ID：201202263013578573   整理番号：12A0539159

パルスレーザ蒸着法によるフレキシブルポリイミド基板上のアモルファスBi_3.95Er_0.05Ti₃O₁₂薄膜の室温作製及び誘電特性

Room-temperature preparation and dielectric properties of amorphous Bi_3.95Er_0.05Ti₃O₁₂ thin films on flexible polyimide substrates via pulsed laser deposition method

著者 (3件)： MO Zhong (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-Sen Univ. ...) ,  WU Guangheng (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-Sen Univ. ...) ,  BAO Dinghua (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-Sen Univ. ...)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 14  ページ： 5323-5327  発行年： 2012年05月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Bi_3.95Er_0.05Ti₃O₁₂(BErT)薄膜をパルスレーザ蒸着法により室温でフレキシブルポリイミド(PI)基板上に作製した。低酸素圧下で堆積したこれらのBErT薄膜はち密で,均質,及びクラックのないアモルファス構造をしていた。3Paの酸素圧下で堆積した約160nm厚さの極めてフレキシブルな薄膜は1kHzで誘電定数51及び誘電損失0.025のような優れた誘電特性,並びに最大容量密度237nF/cm²を示した。異なった曲率半径(外部変形を荷すことによる)で曲げたとき薄膜は依然として極めて優れた誘電性能を保持した。さらに,薄膜は良好な誘電経年変化特性(すなわち熱安定性)及び高い光透明度を示した。BErT薄膜はフレキシブルなオプトエレクトロニックデバイス及び埋め込みキャパシタに応用できる。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *チタン酸塩 ,  *ビスマス化合物 ,  *エルビウム化合物 ,  ドーピング ,  *強誘電体 ,  誘電体薄膜 ,  *レーザ蒸着 ,  *フレキシブル基板 ,  ポリイミド ,  誘電率 ,  誘電損失 ,  透明材料 ,  *パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： *チタン酸ビスマス

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： パルスレーザ蒸着 ,  アモルファス ,  BI3 ,  薄膜 ,  室温 ,  作製 ,  誘電特性