抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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半導体において,スピン-軌道有効磁場,すなわちRashbaとDresselhaus場が,電子-スピン分極の制御に使われる。この動作は しかし 電子-スピン・コヒーレンスを破壊し,そしてスピン分極は強磁性ソース電極の近傍に制限される。この論文で,空間的に振動している電子-スピン分極のコヒーレンスを改善するため希薄 磁性半導体の使用を提案した。希薄 磁性半導体中で,ソース電極の近くの電子-スピン分極は,s-dスピン-フリップ散乱を通してダイナミックに磁性不純物の局所スピン分極を誘導する。不純物-スピン分極が 順番に電子スピン分極のコヒーレンスを改善し,そして,この改善した電子スピン分極が隣接したより遠くの領域の不純物-スピン分極を誘導する。この正帰還のため,電子-と不純物-スピン分極のコヒーレントで同期した空間振動は協力して成長する。CdMnTe量子井戸のための数値計算は,このメカニズムの正当性を実証した。(翻訳著者抄録)