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J-GLOBAL ID：201202263370999749   整理番号：12A1515541

オキシ硫酸ビスマスBi₄O₄S₃中のバルク超伝導性

Bulk Superconductivity in Bismuth Oxysulfide Bi₄O₄S₃

著者 (7件)： SINGH Shiva Kumar (CSIR, New Delhi, IND) ,  KUMAR Anuj (CSIR, New Delhi, IND) ,  GAHTORI Bhasker (CSIR, New Delhi, IND) ,  SHRUTI (Jawaharlal Nehru Univ., New Delhi, IND) ,  SHARMA Gyaneshwar (Jawaharlal Nehru Univ., New Delhi, IND) ,  PATNAIK Satyabrata (Jawaharlal Nehru Univ., New Delhi, IND) ,  AWANA Veer P. S. (CSIR, New Delhi, IND)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 134  号： 40  ページ： 16504-16507  発行年： 2012年10月10日 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新たに発見された超伝導体オキシ硫酸ビスマスBi₄O₄S₃の広範囲な特性評価をおこなった。合成されたBi₄O₄S₃は空間群I4/mmmで正方晶系構造へ結晶し,BiおよびBi₂S₃の小不純物で汚染されていた。詳細なRietveld分析によって,分子組成がBi₃O₃S_2.25であることが決定付けられた。~4.4Kでバルク-超伝導であることが磁化および輸送測定から確認された。興味深いことに,同じ経路で加熱処理された純粋な菱面体晶Biは非-超伝導であり,Bi₄O₄S₃の超伝導性が固有のものであり,Bi不純物相によって駆動されたものではないことが示された。コヒーレンス長は~100Åであると算出され,通常状態での強い電子-電子相関からの離脱が示され,Hall抵抗率が非線形磁界依存性を生じた。

シソーラス用語： *ビスマス化合物 ,  *酸化物 ,  *硫化物 ,  正方晶系 ,  超伝導材料 ,  Rietveld法 ,  *分子構造 ,  コヒーレンス長 ,  *超伝導 ,  電気抵抗率 ,  温度依存性 ,  磁化率
準シソーラス用語： Hall抵抗率

分類 (2件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 硫酸 ,  ビスマス ,  バルク ,  超伝導性