全シリコン受動フォトダイオード

FAN Li; WANG Jian; VARGHESE Leo T.; SHEN Hao; NIU Ben; XUAN Yi; WEINER Andrew M.; QI Minghao; QI Minghao

文献

J-GLOBAL ID：201202263387018164 整理番号：12A0328295

全シリコン受動フォトダイオード

An All-Silicon Passive Optical Diode

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著者 (9件)：

FAN Li

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巻： 335 号： 6067 ページ： 447-450 発行年： 2012年01月27日
JST資料番号： E0078A ISSN： 0036-8075 CODEN： SCIEA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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Siフォトニクスに待望されているp-n接合と類似の方向性と機能でCMOSと互換性のある受動フォトダイオードは,近赤外領域では実現されていなかった。光学的非可逆性に基づく方法を使って,遠隔通信波長範囲で最高28デシベルの前方対後方伝送比率を実証する。このフォトダイオードは,高Q値の直径5μmの2つのSiマイクロリングからなる。

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