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J-GLOBAL ID：201202263391599244   整理番号：12A1167054

高規則化超平坦ZnO表面の高速作製

Rapid preparation of highly ordered ultraflat ZnO surfaces

著者 (3件)： GOETZEN Jan (Molekulare Festkoerperphysik, Philipps-Universitaet Marburg, D-35032 Marburg, DEU) ,  GOETZEN Jan (Dep. of Mechanical Engineering and Materials Sci., and Center for Res. on Interface Structures and Phenomena (CRISP) ...) ,  WITTE Gregor (Molekulare Festkoerperphysik, Philipps-Universitaet Marburg, D-35032 Marburg, DEU)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 24  ページ： 10144-10147  発行年： 2012年10月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオンスパッタリングによる初期洗浄ステップと続く空気中アニーリングからなる,各種配向をもつ原子的に平坦で微視的に十分規則的なZnO単結晶を作製する簡単な手続きを報告した。得られた原子規則化及び形態を,極性基底面及び混合終端(10-10)表面について,低速電子回折及び原子間力顕微鏡により検証し,さらに,他の作製スキームと比較した。この手続きが,そのサイズが巨視的な試料配向の精度により制限される,拡大テラスをもつ非再構成表面の非常に高速で信頼性のある作製を可能にすることを実証した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  表面構造 ,  *平坦性 ,  洗浄 ,  *イオンビームスパッタリング ,  *焼なまし ,  大気中 ,  *単結晶 ,  低速電子回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  化合物半導体 ,  *規則化

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  スパッタリング  (BK16110U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 規則化 ,  平坦 ,  ZnO ,  作製