文献

J-GLOBAL ID：201202263521953150   整理番号：12A1572389

高S/NのCMOSイメージセンサを実現する画素技術

Pixel Technologies for High-SNR CMOS Image Sensors

著者 (2件)： 幸山裕亮 (東芝) ,  山下浩史 (東芝)
資料名： 東芝レビュー  (Toshiba Review)
巻： 67  号： 10  ページ： 6-9  発行年： 2012年10月01日 
JST資料番号： F0360A  ISSN： 0372-0462  CODEN： TORBA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： CMOS(相補型金属酸化膜半導体)イメージセンサでは一貫して画素サイズの縮小が続けられており,特に低照度撮像時のS/N(信号対雑音比)確保が重要課題となっている。S/Nを確保するためには,画素の高量子効率化及び低クロストーク(混色)化が鍵となる。東芝は,画素の世代ごとに高量子効率と低クロストークを実現するための技術を開発することで,高S/NのCMOSイメージセンサを実現してきた。更に,今後の1μm以下の画素微細化において十分なS/Nを確保するために重要な技術の開発も進めている。(著者抄録)

シソーラス用語： イメージセンサ ,  CMOS構造 ,  *SN比 ,  画素 ,  *量子効率 ,  *クロストーク
準シソーラス用語： *CMOSイメージセンサ

分類 (1件)： 撮像・録画装置  (ND12032E)

引用文献 (4件)：

• (1) Juha, A. "Image Sensors and Image Quality in Mobile Phones". 2007 Int. Image Sensor Workshop (IISW). Ogunquit, ME, USA, 2007-06, International Image Sensor Society (IISS). 2007, Session 01.
• (2) Kohyama, Y. et al. "A 1.4 μm Pixel Backside Illuminated CMOS Image Sensor with 300 mm Wafer Based on 65nm Logic Technology". 2009 IISW. Bergen, Norway, 2009-06, IISS. 2009, Session 02.
• (3) Iwabuchi, S. et al. "A Back-Illuminated High-Sensitivity Small-Pixel Color CMOS Image Sensor with Flexible Layout of Metal Wiring". IEEE International Solid-State Circuits Conference 2006 Dig. Tech. Papers. San Francisco, CA, USA, 2006-02, IEEE. 2006, p.302 - 303.
• (4) Rhodes, H. "Mass Production of BSI CMOS Image Sensors". 2009 IISW Symposium on Backside Illumination of Solid-State Image Sen-sors. Bergen, Norway, 2009-06, IISS. 2009.

タイトルに関連する用語 (2件)： CMOSイメージセンサ ,  画素