抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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CMOS(相補型金属酸化膜半導体)イメージセンサでは一貫して画素サイズの縮小が続けられており,特に低照度撮像時のS/N(信号対雑音比)確保が重要課題となっている。S/Nを確保するためには,画素の高量子効率化及び低クロストーク(混色)化が鍵となる。東芝は,画素の世代ごとに高量子効率と低クロストークを実現するための技術を開発することで,高S/NのCMOSイメージセンサを実現してきた。更に,今後の1μm以下の画素微細化において十分なS/Nを確保するために重要な技術の開発も進めている。(著者抄録)