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J-GLOBAL ID:201202263634504891   整理番号:12A0836113

反転有機バルクヘテロ接合太陽電池用CdSe量子ドット陰極緩衝体

CdSe quantum dot cathode buffer for inverted organic bulk hetero-junction solar cells
著者 (5件):
資料名:
巻: 13  号:ページ: 1302-1307  発行年: 2012年08月 
JST資料番号: W1352A  ISSN: 1566-1199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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CdSe量子ドット(QD)で作られた陰極緩衝層は反転ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT):インデン-C60ビス-付加物(ICBA)反転バルクヘテロ接合(IBHJ)太陽電池に導入される。開回路電圧(VOC)及びフィルファクタはCs2CO3/ITO陰極上にCdSe QD層を挿入することによる強化された電子抽出故に,それぞれ0.88V及び68.71%まで増加する。このようにパワー変換効率は4.6%から5.2%へ増加し,環境安定性も大きく改良される。透過型電子顕微鏡及びエネルギー分散型X線分光法で分析することにより,CdSe QD層は活性層中へCs拡散を遅らせ,寿命を改良する結果に繋がる。種々の照度の下,VOCの理想的温度依存性は1.205Vの最大VOCで達成される。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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光伝導,光起電力  ,  太陽電池 
タイトルに関連する用語 (5件):
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