文献

J-GLOBAL ID：201202263703823694   整理番号：12A1651059

パルスレーザー堆積により室温で得られた結晶性バナジウム窒化物超薄膜

Crystalline vanadium nitride ultra-thin films obtained at room temperature by pulsed laser deposition

著者 (7件)： GHIMBEU C. Matei (Inst. de Sci. des Materiaux de Mulhouse, (CNRS, LRC 7228), 15 rue Jean Starcky, 68057 Mulhouse, FRA) ,  SIMA F. (Inst. de Sci. des Materiaux de Mulhouse, (CNRS, LRC 7228), 15 rue Jean Starcky, 68057 Mulhouse, FRA) ,  SIMA F. (Laser Dep., National Inst. for Laser, Plasma, and Radiation Physics, Bucharest, ROM) ,  OSTACI R.v. (Inst. de Sci. des Materiaux de Mulhouse, (CNRS, LRC 7228), 15 rue Jean Starcky, 68057 Mulhouse, FRA) ,  SOCOL G. (Laser Dep., National Inst. for Laser, Plasma, and Radiation Physics, Bucharest, ROM) ,  MIHAILESCU I.n. (Laser Dep., National Inst. for Laser, Plasma, and Radiation Physics, Bucharest, ROM) ,  VIX-GUTERL C. (Inst. de Sci. des Materiaux de Mulhouse, (CNRS, LRC 7228), 15 rue Jean Starcky, 68057 Mulhouse, FRA)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 211  ページ： 158-162  発行年： 2012年10月25日 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,パルスレーザー堆積によるバナジウム窒化物超薄膜の合成について報告する。レーザーアブレーションに用いた固体ターゲットは,V₂O₅のゾル-ゲルとその後の温度プログラムされたアンモニア還元により合成したバナジウム窒化物粉末から作製した。膜の堆積はガラスおよびSi基板上に室温および500°Cにおいて行い,走査型および透過電子顕微鏡,X線回折,原子間力顕微鏡およびX線光電子分光法といった異なる方法により膜を評価した。堆積条件の関数として,膜は,異なる厚さを示し,均一で緻密から若干ポーラスな形態までを見せ,そして高度な結晶性であった。X線光電子分光の分析により明らかにされたように,VN膜は表面上の酸化物層形成のために窒素が欠損していた。VNターゲットを用い室温で結晶性VN超薄膜を堆積する可能性は,低温基板を採用するいくつかの可能な応用に対して極めて重要である。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： セラミック膜 ,  超薄膜 ,  *バナジウム化合物 ,  *窒化物 ,  ナノ結晶 ,  ターゲット ,  ゾル-ゲル法 ,  表面性状 ,  微細構造 ,  プロセスパラメータ ,  製膜 ,  *レーザ蒸着 ,  パルスレーザ照射 ,  結晶 ,  基板 ,  電気装置部品 ,  ウエハ【IC】 ,  *パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： ガラス基板 ,  ケイ素基板 ,  *パルスレーザ堆積 ,  *窒化バナジウム

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (6件)： パルスレーザー堆積 ,  室温 ,  結晶性 ,  バナジウム ,  窒化物 ,  超薄膜