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J-GLOBAL ID：201202263784933740   整理番号：12A1438209

SRAMのためのポストファブリケーション自己修復方式の下でのPFETのNBTI測定

NBTI Measurements of PFETs under Post Fabrication Self-Improvement Scheme for SRAM

著者 (5件)： ALIAS Nurul Ezaila (Univ. Tokyo) ,  KUMAR Anil (Univ. Tokyo) ,  SARAYA Takuya (Univ. Tokyo) ,  MIYANO Shinji (STARC) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.13A-F4-5  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *回復 ,  *修理 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *SRAM ,  劣化 ,  固体素子 ,  寿命予測
準シソーラス用語： ナノ素子 ,  *自己修復 ,  電圧ストレス ,  *負バイアス温度不安定性

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： SRAM ,  自己修復 ,  NBTI