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J-GLOBAL ID：201202263806766222   整理番号：12A1462973

三層ヘテロ構造OLETにおける電子および正孔電流の挙動

BEHAVIOUR OF ELECTRON AND HOLE CURRENTS IN A 3-LAYER HETEROSTRUCTURE OLET

著者 (4件)： JOKINEN K. (Univ. Oulu, FIN) ,  BYKOV A. (Univ. Oulu, FIN) ,  SLIZ R. (Univ. Oulu, FIN) ,  MYLLYLA R. (Univ. Oulu, FIN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8435  ページ： 84351L.1-84351L.8  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三層ヘテロ構造有機発光トランジスタ(OLET)における電子および正孔電流の挙動に対する誘電,電荷輸送および発光層の影響を研究した。さらに,対応する有機発光ダイオード(OLED)および有機電界効果トランジスタ(OFET)の性能を調べた。明確な両極性挙動そして正孔輸送層と電子輸送層の間に挟まれた発光層からの光放出を観測した。作製したOLETでは電子が正孔よりも高い移動度を示した。三層OLETに対して,二層OFETは電子電流よりも高い正孔電流を示した。発光層の性質の効果(異なるドーピングおよび蒸発速度)も研究した。電子に対する閾電圧が考察した他の型のOLETの場合よりも無ドープ発光層をもつデバイスの場合により小さいことを観測した。実験結果は,発光層の蒸発速度の減少がデバイス内の電子移動度に肯定的な効果を及ぼすことを証明した。

シソーラス用語： *トランジスタ ,  電子 ,  正孔 ,  電流 ,  多層 ,  発光ダイオード ,  キャリア移動度 ,  電圧 ,  ヘテロ接合 ,  バイポーラトランジスタ ,  電子技術
準シソーラス用語： 三層 ,  有機エレクトロニクス ,  有機発光ダイオード ,  *有機発光トランジスタ ,  閾電圧

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： ヘテロ構造 ,  OLET ,  電子 ,  正孔 ,  挙動