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J-GLOBAL ID：201202263839202375   整理番号：12A0346680

光吸収をする銅から構成された薄膜とグラフェンの電気化学的積層

Electrochemical Integration of Graphene with Light-Absorbing Copper-Based Thin Films

著者 (5件)： PADMANABHAN Medini (Indian Inst. of Sci., Bangalore, IND) ,  ROY Kallol (Indian Inst. of Sci., Bangalore, IND) ,  RAMALINGAM Gopalakrishnan (Indian Inst. of Sci., Bangalore, IND) ,  RAGHAVAN Srinivasan (Indian Inst. of Sci., Bangalore, IND) ,  GHOSH Arindam (Indian Inst. of Sci., Bangalore, IND)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 1  ページ： 1200-1204  発行年： 2012年01月12日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気化学的方法を用いて沈着した銅をベースにした無機光感光性アロイ(厚み:1-2μm)と単一層CVDグラフェンの新規な室温での積層方法を開発した。このアロイは銅スルフィド(Cu_xS)からなり硫酸銅,チオ硫酸ソーダ,EDTA等の塩から調製した電気化学浴から直接成長させて合成した。電流-電圧(I-V)特性評価と光導電率減衰実験を行うためグラフェン面は銀エポキシペーストを用いて接触(contact)し,光感光性アロイ面上に二カ所の面積が異なる微細接触(contact)を銀エポキシペースト使って作製した。CVDグラフェン作製からこの積層デバイス迄の作製ルートを図示した。この得られたCu_xS膜のモルフォロジーと光導電率に関する成長パラメータの効果を調べた。

シソーラス用語： 光伝導素子 ,  *光伝導 ,  *硫化銅 ,  半導体薄膜 ,  炭素材 ,  化学蒸着 ,  電気化学反応 ,  *積層成形 ,  電流電圧特性 ,  *モルフォロジー ,  表面構造 ,  表面性状 ,  *結晶成長 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】 ,  積層加工 ,  電気化学蒸着 ,  表面モルフォロジー

分類 (2件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光吸収 ,  銅 ,  薄膜 ,  グラフェン ,  電気化学