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J-GLOBAL ID：201202263869233666   整理番号：12A1338186

Al/ナノ構造CdO/p-GaAsダイオードの電気特性に及ぼす界面状態および直列抵抗の影響

Effects of interface states and series resistance on electrical properties of Al/nanostructure CdO/p-GaAs diode

著者 (6件)： TASCIOGLU Ilke (Physics Dep., Fac. of Arts and Sciences, Gazi Univ., Ankara, TUR) ,  SOYLU Murat (Physics Dep., Fac. of Arts and Sciences, Bingoel Univ., Bingoel, TUR) ,  ALTINDAL Semsettin (Physics Dep., Fac. of Arts and Sciences, Gazi Univ., Ankara, TUR) ,  AL-GHAMDI A.a. (Dep. of Physics, Fac. of Sciences, King Abdulaziz Univ., Jeddah, Saudi Arabia) ,  YAKUPHANOGLU Fahrettin (Dep. of Physics, Fac. of Sciences, King Abdulaziz Univ., Jeddah, Saudi Arabia) ,  YAKUPHANOGLU Fahrettin (Physics Dep., Fac. of Sci., Firat Univ., Elazig, TUR)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 541  ページ： 462-467  発行年： 2012年11月15日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ構造CdO薄膜を,ゾル-ゲル法によりp-GaAs基板上に成膜した。Al/CdO/p-GaAsダイオードの電気特性調査を,電流-電圧および電気容量-電気伝導度-電圧測定を用いて行った。ダイオードの理想係数および障壁高さは,それぞれ,2.29および0.62eVであった。界面状態のエネルギー分布プロファイルを,Hill-Coleman法により決定した。得られた結果から,直列抵抗および界面状態はAl/CdO/p-GaAsダイオードの電気特性に対して重要な影響を及ぼすことが明らかとなった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,  ナノ構造 ,  酸化カドミウム ,  ゾル-ゲル法 ,  アルミニウム ,  電流電圧特性 ,  状態密度 ,  化合物半導体 ,  酸化物 ,  容量電圧特性 ,  電気伝導率 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  電気抵抗
準シソーラス用語： 界面状態密度 ,  透明導電性酸化物 ,  直列抵抗

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (8件)： Al ,  ナノ構造 ,  CdO ,  GaAs ,  ダイオード ,  電気特性 ,  界面状態 ,  直列抵抗