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J-GLOBAL ID:201202263923214320   整理番号:12A1567954

1.4nmシリコンナノ結晶の表面化学についての第一原理研究:ヒドロシリル化の場合

First-Principles Study on the Surface Chemistry of 1.4 nm Silicon Nanocrystals: Case of Hydrosilylation
著者 (3件):
資料名:
巻: 116  号: 36  ページ: 19434-19443  発行年: 2012年09月13日 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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密度汎関数理論計算によってシリコンナノ結晶(Si71H84)の表面構造と表面での1-アルケン(C2~C18).1-アルキン(C2~C12)およびCH2=CHX(X=CH3,OH,COOH,NH2,C6H5,C5H4N,C4H3S)の0Kにおけるヒドロシリル化について調べた。Si-Cの生成エネルギーは,シリコン表面の3種の結合サイト(SiH,SiH2,SiH3)によって異なること,アルケン,アルキンともに炭素数が多いほど大きいこと,同じ炭素数の場合はアルケンの方が大きいこと,シリカ表面からの発光は,ヒドロシリル化によって増強されるが,アルケン/アルキンの炭素数や被覆率にはほとんど依存しないこと,発光にはC=C結合と置換基の相乗効果がみられることなどが分かった。
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分類 (2件):
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付加反応,脱離反応  ,  その他の無触媒反応 
タイトルに関連する用語 (5件):
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