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J-GLOBAL ID：201202263936143979   整理番号：12A0956708

アルカリ土類金属及びカルコゲンの吸着による半導体表面のパシベーションの理論的分析

Theoretical analysis of semiconductor surface passivation by adsorption of alkaline-earth metals and chalcogens

著者 (3件)： SRIVASTAVA G.p. (School of Physics, Univ. of Exeter, Stocker Road, Exeter EX4 4QL, GBR) ,  ALZAHRANI A.z. (Physics Dep., King Abdulaziz Univ., Jeddah, Saudi Arabia) ,  USANMAZ D. (Physics Program, Middle East Technical Univ., Northern Cyprus Campus, Kalkanli, Gu ̈zelyurt, KKTC, Mersin 10, TUR)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 21  ページ： 8377-8386  発行年： 2012年08月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブ単分子層の原子被覆率の吸着による半導体表面のパシベーションという概念から始め,次にアルカリ土類金属(II族原子)及びカルコゲン(VI族原子)のサブ単分子層吸着における半導体表面の構造再構成の理論解析とパシベーション挙動を示した。Si(001)及びSi(111)上のCa吸着,及びGaAs(001)上のS吸着に対して第一原理計算から具体的な結果を示した。程度の異なるパシベーションを得るときの吸着化学種及び表面原子の役割を取り上げた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *不動態化 ,  アルカリ土類金属 ,  酸素族元素 ,  *吸着 ,  カルシウム ,  硫黄 ,  *表面再構成 ,  *第一原理 ,  密度汎関数法 ,  擬ポテンシャル法
準シソーラス用語： *Siウエハ ,  表面不動態化

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  吸着の電子論  (CB12042Y) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (7件)： アルカリ土類金属 ,  カルコゲン ,  吸着 ,  半導体表面 ,  パシベーション ,  理論 ,  分析