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J-GLOBAL ID:201202263964138220   整理番号:12A0954718

増幅器応用のためのハイブリッドSi3N4-Er/Ybシリケート導波路

Hybrid Si3N4-Er/Yb Silicate Waveguides for Amplifier Application
著者 (6件):
資料名:
巻: 24  号: 9-12  ページ: 900-902  発行年: 2012年05月01日 
JST資料番号: T0721A  ISSN: 1041-1135  CODEN: IPTLEL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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2.4μm幅,250nm厚のSi3N4ストリップ上に400nm厚のEr0.2Yb1.8SiO5薄膜を堆積したハイブリッド導波路を作成した。光は低損失Si3N4ストリップを伝播するため,伝送損失は顕著に低減し(3.2±0.3dB/cm),エッチング困難なErシリケートをエッチングする必要も無い。5.9m長導波路では372mWの1476nmポンピングで3.1dB信号が改善した。Er3+の光利得を制限する共同アップコンバージョンからの強い660nm赤色光発光が観測され,そのコンバージョン係数は(3.0±1)x10-17cm3/secである。
シソーラス用語:
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分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
光導波路,光ファイバ,繊維光学 

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