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J-GLOBAL ID：201202264116179193   整理番号：12A1771659

過渡EBICを用いた多結晶Si中の少数キャリア寿命分布の測定

著者 (2件)： 田中成泰 (名古屋大 エコトピア科研) ,  丹司敬義 (名古屋大 エコトピア科研)
資料名： 名古屋大学電子光学研究のあゆみ  (Nagoya University Ayumi(Progress Steps) of the Electron Optics Research)
号： 24  ページ： 39-40  発行年： 2012年10月26日 
JST資料番号： X0925A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電子ビームをチョッピングすることで過渡的に流れる電子線誘起電流(EBIC)によって少数キャリアの寿命を求める試みについて述べた。初めに計算機シミュレーションによって過渡EBICの時間変化について詳細に調べた。その結果に基づき,p型多結晶シリコンにおいて実験を行い,過渡EBICを使って小数キャリアの寿命測定ができることを示した。

シソーラス用語： *電子線誘起電流 ,  少数キャリア ,  *キャリア寿命 ,  ポリシリコン
準シソーラス用語： 多結晶シリコン

分類 (1件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (4件)： EBIC ,  多結晶Si ,  少数キャリア寿命 ,  分布