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J-GLOBAL ID：201202264198524225   整理番号：12A0058804

不揮発性メモリ用のポリイミド薄膜に埋め込まれた銅ナノ粒子

Copper nanoparticles embedded in a polyimide film for non-volatile memory applications

著者 (4件)： GUPTA Raju Kumar ,  KUSUMA Damar Yoga ,  LEE P.s. ,  SRINIVASAN M.p.
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 68  ページ： 287-289  発行年： 2012年02月01日 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不揮発性メモリ素子用の,ナノ粒子を加えた,ポリイミド薄膜の,電荷の貯蔵と保持の特性を調査した。よく分散した,一定の大きさの,金属銅ナノ粒子(CuNPs)が,溶液からキャスティングされたポリイミド薄膜の境界の中に埋め込まれた構造が形成されていた。ナノ粒子を含む薄膜を,X線光電子分光,原子間力顕微鏡および走査電子顕微鏡でキャラクタライズした。静電容量-電圧の関係の測定によると,埋め込まれたCuNPsは,金属-絶縁体-半導体のタイプのコンデンサーの中で,浮遊ゲートとして機能し,1.52Vの,大きいヒステリシスウィンドーを示した。5Vの充電バイアスを印加した後に行われたC-tの測定によると,電荷は2万秒以上保持された。この方法で,比較的安価な材料を使って,非常に良い性能を示すメモリ素子を作るための,低価格の過程が開発される見込みがある。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  *銅 ,  *ナノ粒子 ,  *ポリイミド ,  *高分子薄膜 ,  *埋込み【挿入】 ,  高分子有機-無機ハイブリッド ,  流延成形 ,  ウエハ【IC】 ,  静電容量 ,  容量電圧特性 ,  フローティングゲート ,  コンデンサ ,  銅錯体 ,  脂肪酸 ,  カルボアミド ,  脂肪族ケトン ,  ジケトン ,  環状エーテル ,  芳香族カルボン酸 ,  酸素複素環化合物 ,  芳香族縮合化合物 ,  カルボン酸無水物
準シソーラス用語： ケイ素ウエハ

分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

物質索引 (5件)： 4,4′-ジアミノジフェニルエーテル ,  N,N-ジメチルアセトアミド ,  アセチルアセトン ,  テトラヒドロフラン ,  ピロメリト酸無水物

タイトルに関連する用語 (3件)： 不揮発性メモリ ,  ポリイミド薄膜 ,  銅ナノ粒子