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J-GLOBAL ID：201202264234996686   整理番号：12A0723562

ZnOからの青色フォトルミネセンスに与える膜厚の影響

Affect of film thickness on the blue photoluminescence from ZnO

著者 (3件)： MOORE J. C. (Coastal Carolina Univ., SC, USA) ,  COVINGTON L. R. (Coastal Carolina Univ., SC, USA) ,  STANSELL R. (Coastal Carolina Univ., SC, USA)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 209  号： 4  ページ： 741-745  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱酸化法によって,様々な温度でサファイア基板上に約200~600nmの様々な厚みを持つZnO膜を作成し,そのフォトルミネセンス(PL)特性を調べた。PLスペクトルには,励起子由来の紫外,青色,および,深準位由来の緑色,黄色の全部で4つの発光帯が観測された。酸化熱処理温度を1200°Cから300°Cへ変化させると,バルク膜中に少数の酸素空孔と格子間酸素イオン欠陥が生成され,紫外発光に対する深準位由来の緑色発光の強度比が減少した。また,膜厚を約600nmから200nmへ減らすと,バンドギャップ中に新たな青色発光が出現し,同時に0.15eVの大きさの顕著な赤方偏移が観測された。デプレッション幅がバルクに比べて増大した場合,欠陥に関連した青色発光が現われ,さらにこれに対応する発光強度が減少したことから,この青色発光は,界面付近のデプレッション領域に見出された帯電した亜鉛の格子間欠陥に関係していると考えられる。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  *依存性 ,  *光ルミネセンス ,  励起子 ,  深い準位 ,  空格子点 ,  赤方偏移 ,  格子欠陥
準シソーラス用語： 酸化物半導体 ,  *膜厚依存性 ,  *フォトルミネセンス ,  深準位 ,  酸素空孔

分類 (1件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (4件)： ZnO ,  青色 ,  フォトルミネセンス ,  膜厚