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J-GLOBAL ID：201202264300989734   整理番号：12A0387031

UVエレクトロルミネセンスを示す広いバンドギャップナノワイヤにおける分極誘起のpnダイオード

Polarization-Induced pn Diodes in Wide-Band-Gap Nanowires with Ultraviolet Electroluminescence

著者 (6件)： CARNEVALE Santino D. (Ohio State Univ., Ohio, USA) ,  KENT Thomas F. (Ohio State Univ., Ohio, USA) ,  PHILLIPS Patrick J. (Ohio State Univ., Ohio, USA) ,  MILLS Michael J. (Ohio State Univ., Ohio, USA) ,  RAJAN Siddharth (Ohio State Univ., Ohio, USA) ,  MYERS Roberto C. (Ohio State Univ., Ohio, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 2  ページ： 915-920  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ほとんどすべての電子デバイスは,ドナーまたはアクセプタ不純物原子のランダムドーピングにより形成されるpn接合を用いる。不純物ドーピングにより形成されるのではなく,分極電荷によりp及びn伝導性交互領域に得られる半導体ナノワイヤの組成を傾斜させることによる,基本的に新しいタイプのpn接合を開発した。0から100%線形傾斜AlGaNナノワイヤにより,不純物ドーピングなしでさえも分極有機pn接合の形成を認める。電子及び正孔はAlN障壁から量子ディスク活性領域へ注入され,傾斜付けナノワイヤは深い紫のLEDをAlGaNバンドギャプ領域に発生し,3.4-5eV域にエレクトロルミネセンスを認める。ナノワイヤに分極有機p型伝導性はアクセプタドーピングなしにでも可能なことが示され,平面膜と比べナノワイヤ中分極技術に先立ち例示され,広バンドギャップ半導体の伝導度が改善された。

シソーラス用語： *エレクトロルミネセンス ,  *ダイオード ,  PN接合 ,  *傾斜機能材料 ,  半導体材料 ,  バンドギャップ ,  ナノワイヤ ,  分極
準シソーラス用語： 傾斜組成 ,  窒化ガリウムアルミニウム

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： エレクトロルミネセンス ,  分極 ,  誘起 ,  PN ,  ダイオード