文献

J-GLOBAL ID：201202264385882151   整理番号：12A0386974

PbS量子ドットデバイスにおけるSchottky障壁像及びOhm接触

Imaging Schottky Barriers and Ohmic Contacts in PbS Quantum Dot Devices

著者 (4件)： STRASFELD David B. (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts) ,  DORN August (Univ. Hamburg, Hamburg, DEU) ,  WANGER Darcy D. (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts) ,  BAWENDI Moungi G. (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 2  ページ： 569-575  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 鉛カルコゲン化物は,合成法を調整することによって粒子の大きさを約2から12nmに制御して,バンドギャップを0.5から1.7evに容易に調整できるが,デバイス合体のためには金属電極との接触がOhm型かSchottky型であるかを必要とする。ここでは,Ohm型及びSchottky型電極を持つ平面PbS量子ドット(QD)を製造して,走査光電流,光電圧顕微鏡によりキャラクタリゼーションした。チタン/QD接触は,バイアス電圧によって大きく変化する劣化幅を示し,金/QD接触は同じ電圧領域においてOhm挙動を示した。

シソーラス用語： *Ohm接触 ,  *硫化鉛 ,  *量子ドット ,  *Schottky障壁 ,  バンドギャップ ,  半導体金属接合 ,  光電流 ,  キャラクタリゼーション ,  金電極 ,  チタン ,  顕微鏡観察
準シソーラス用語： ショットキー接合 ,  バイアス電圧

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  電子構造一般  (BM02010K)

タイトルに関連する用語 (4件)： PbS ,  量子ドット ,  Schottky障壁 ,  Ohm接触