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J-GLOBAL ID：201202264387156903   整理番号：12A0346606

歪み誘導ZnOスピン界面

Strain-Induced ZnO Spinterfaces

著者 (5件)： ONG C. S. (National Univ. Singapore, Singapore, SGP) ,  HERNG T. S. (National Univ. Singapore, Singapore, SGP) ,  HUANG X. L. (National Univ. Singapore, Singapore, SGP) ,  FENG Y. P. (National Univ. Singapore, Singapore, SGP) ,  DING J. (National Univ. Singapore, Singapore, SGP)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 1  ページ： 610-617  発行年： 2012年01月12日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる基板上に生成した膜厚の異なるZnO膜の磁性を検討した。ZnO/基板界面の歪み量が界面の磁気秩序に影響し,ZnO被覆層が厚くなり,より大きい面内圧縮歪みがあると不一致な混乱によりZnO/基板界面が損傷し,より大きい飽和磁化を観察した。このことから磁化の原因はZnO被覆層の欠損だけでなく基盤の欠損でもないことを示し,ZnO/基板界面での歪みが原因だと示唆した。第1原理非経験的計算からZnO/基板界面での歪みがZn空隙を安定化し,この空隙を取り巻く酸素2p軌道からの不対電子スピンのカップリングから外部飽和磁場があると磁場の方向に高濃度の不対電子スピン配向を生じ,強磁性配向が起こることを示した。これらの結果からこのような歪みによってZnO/基板界面において生じる磁性がスピン界面効果によることを示唆した。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *歪 ,  *磁性 ,  *酸化膜 ,  磁気秩序 ,  飽和磁化 ,  第一原理 ,  スピン
準シソーラス用語： 強磁性秩序

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 歪み ,  誘導 ,  ZnO ,  スピン ,  界面