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J-GLOBAL ID：201202264387305879   整理番号：12A1572190

絶縁基板上の幅を合わせたグラフェンナノリボンの部位特異的成長

Site-Specific Growth of Width-Tailored Graphene Nanoribbons on Insulating Substrates

著者 (8件)： SONG Wooseok (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  KIM Soo Youn (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  KIM Yooseok (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  KIM Sung Hwan (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  LEE Su Il (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  SONG Inkyung (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  JEON Cheolho (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  PARK Chong-Yun (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 37  ページ： 20023-20029  発行年： 2012年09月20日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンに基づく電界効果型トランジスタの開発に際してグラフェンにおけるバンドギャップを広げることは鍵となる因子である。グラフェンはギャップなし半金属であるが,グラフェンがグラフェンナノリボン(GNR)に形成されるとバンドギャプは広がる。更に,バンドギャップエネルギーはGNRの幅によって操作することができる。ここでは,SiO₂絶縁基板上にダイヤモンド状カーボンナノ鋳型を用い所望の位置に直接バンド幅を合わせたGNRの部位特異的合成を提案した。GNR成長のためCH₄/H₂気流を用いるイオンビーム支援化学的蒸着法を経由してSiO₂/Siウエハ上にダイヤモンド状カーボンナノ鋳型の予備製膜法を利用した。これらの結果は絶縁基板上の部位特異領域にバンド幅を合わせたGNRを成長するための容易な経路を示した。

シソーラス用語： ナノ構造 ,  *リボン結晶 ,  *炭素材 ,  絶縁膜 ,  半金属 ,  *バンドギャップ ,  エネルギー ,  化合物半導体 ,  ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  酸化ケイ素 ,  イオンビーム蒸着 ,  化学蒸着 ,  ダイヤモンド状炭素 ,  薄膜成長 ,  化学合成 ,  Ramanスペクトル ,  原子間力顕微鏡 ,  光学顕微鏡 ,  FET【トランジスタ】 ,  アルカン ,  *グラフェン
準シソーラス用語： Siウエハ ,  イオンビームアシスト蒸着 ,  ナノリボン ,  バンドギャップエネルギー ,  ワイドギャップ半導体 ,  化学的蒸着法 ,  絶縁性薄膜 ,  鋳型合成 ,  部位特異性 ,  電界効果形トランジスタ

分類 (2件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (3件)： 絶縁基板 ,  グラフェンナノリボン ,  成長