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J-GLOBAL ID：201202264388299317   整理番号：12A1030146

n=7 Aurivillius相Sr₄Bi₄Ti₇O₂₄の熱伝導率テンソルの決定

Determination of the thermal conductivity tensor of the n = 7 Aurivillius phase Sr₄Bi₄Ti₇O₂₄

著者 (5件)： ZURBUCHEN M. A. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of California, Los Angeles, California 90095, USA) ,  CAHILL D. G. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Materials Res. Lab., Univ. of Illinois, Urbana, Illinois 61801, USA) ,  SCHUBERT J. (Inst. fuer Schichten und Grenzflaechen and Center of Nanoelectronic Systems for Information Technol. ...) ,  JIA Y. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Cornell Univ., Ithaca, New York 14853, USA) ,  SCHLOM D. G. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Cornell Univ., Ithaca, New York 14853, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 2  ページ： 021904-021904-4  発行年： 2012年07月09日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜としてしか存在しない先端材料の作成に挑むことにより,その特性を確立できる。物質が低対称性であるか,あるいは,関心の有るテンソル特性が高ランクである場合には特にそうである。Sr₄Bi₄Ti₇O₂₄を例として用いて,多配向に配向したエピタキシャル膜の作成によって,64.7Åのc軸の長さを持つこの正方晶物質の熱伝導率テンソルの測定が可能になることを示した。(100),(110),(111)SrTiO₃基板上にSr₄Bi₄Ti₇O₂₄膜をエピタキシャル成長させることによって,熱伝導率テンソル係数k₃₃=1.10W m^-1K^-1,および,k₁₁=k₂₂=1.80W m^-1K^-1を決定した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 相 ,  *熱伝導率 ,  テンソル ,  *ストロンチウム化合物 ,  *酸化物 ,  *ビスマス化合物 ,  *チタン化合物 ,  エピタクシー
準シソーラス用語： Aurivillius相 ,  エピタキシャル成長

分類 (1件)： 比熱・熱伝導一般  (BL05021E)

タイトルに関連する用語 (3件)： Aurivillius相 ,  熱伝導率 ,  テンソル