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J-GLOBAL ID：201202264437745832   整理番号：12A0025771

黄銅鉱型CdGeAs₂の線形及び非線形光学特性の非経験的研究

Ab initio study of the linear and nonlinear optical properties of chalcopyrite CdGeAs₂

著者 (6件)： YU You (Coll. of Materials Sci. and Engineering, Sichuan Univ., Chengdu 610064, CHN) ,  ZHAO Beijun (Coll. of Materials Sci. and Engineering, Sichuan Univ., Chengdu 610064, CHN) ,  ZHU Shifu (Coll. of Materials Sci. and Engineering, Sichuan Univ., Chengdu 610064, CHN) ,  GAO Tao (Inst. of Atomic and Molecular Physics, Sichuan Univ., Chengdu 610065, CHN) ,  HOU Haijun (Coll. of Materials Sci. and Engineering, Sichuan Univ., Chengdu 610064, CHN) ,  HE Zhiyu (Coll. of Materials Sci. and Engineering, Sichuan Univ., Chengdu 610064, CHN)
資料名： Journal of Solid State Chemistry  (Journal of Solid State Chemistry)
巻： 185  ページ： 264-270  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： H0505A  ISSN： 0022-4596  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 擬ポテンシャル平面波法を用いてCdGeAs₂の電子的,線形及び非線形光学特性の非経験的理論的研究を行った。特にバンド構造,状態密度,帯電密度,誘電関数ε(ω),及び広い周波数領域に渡る第2高周波発生の応答感受性χ312(2)(-2ω;ω,ω)を,評価した。LDA(局所密度近似)はバンドギャップを過小評価するので,擬粒子バンド構造を計算し実験とよく一致するエネルギーバンドギャップを得るために,GW近似法を適用した。この場合に,GW補正に基づくギャップの開きを,線形,非線形光学特性を計算するためのシザーシフトとして用いた。χ312(2)(-2ω;ω,ω)の虚数部へのバンド内,バンド間寄与を,広いエネルギー範囲に渡って提供した。小さいギャップの半導体CdGeAs₂は,他の黄銅鉱構造よりも大きな値のε₁(0)とχ312(2)(0)を有することがわかった。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *黄銅鉱型結晶 ,  黄銅鉱 ,  *非線形光学 ,  ab initio法 ,  擬ポテンシャル法 ,  平面波 ,  *カドミウム化合物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  バンド構造 ,  状態密度 ,  誘電関数 ,  周波数 ,  HF【周波数】 ,  近似法 ,  バンドギャップ ,  *ヒ化物
準シソーラス用語： GW近似 ,  局所密度近似 ,  高周波 ,  *非経験的方法 ,  *ひ化カドミウムゲルマニウム

分類 (4件)： 非金属化合物に見られる電子伝導  (BM03034D) ,  塩  (CD01050V) ,  非線形光学  (BD05000T) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 黄銅鉱 ,  線形 ,  非線形光学特性 ,  経験 ,  研究