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J-GLOBAL ID：201202264456060808   整理番号：12A0563123

サブミクロンのシリコンピラーおよび球におけるひずみ硬化

Strain-hardening in submicron silicon pillars and spheres

著者 (8件)： STAUFFER Douglas D. (Chemical Engineering & Materials Sci., Univ. of Minnesota, USA) ,  BEABER Aaron (Chemical Engineering & Materials Sci., Univ. of Minnesota, USA) ,  WAGNER Andrew (Chemical Engineering & Materials Sci., Univ. of Minnesota, USA) ,  UGURLU Ozan (Characterization Facility, Univ. of Minnesota, USA) ,  NOWAK Julia (Hysitron Inc., Minneapolis MN, USA) ,  ANDRE MKHOYAN K. (Chemical Engineering & Materials Sci., Univ. of Minnesota, USA) ,  GIRSHICK Steven (Mechanical Engineering, Univ. of Minnesota, USA) ,  GERBERICH William (Chemical Engineering & Materials Sci., Univ. of Minnesota, USA)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 60  号： 6-7  ページ： 2471-2478  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブミクロンのシリコンピラーおよび球におけるひずみ硬化シリコン単結晶のサブミクロンの球およびピラーの測定は,金属の対応物のひずみ硬化能に等しいかまたはそれより大きいひずみ硬化能を示した。応力-ひずみ特性を,40nmから400nmまでの範囲の直径に対して報告している。評価は,ナノ押込ベース原子間力顕微鏡,走査顕微鏡および透過電子顕微鏡によって行った。ナノ球での最大1までのひずみ硬化指数の値を,変形による接触面積の増加速度に対するサイズ効果の変動によるものとしている。表面媒介の転位核生成の概念は,形態およびサイズによって特に修正された長さスケール効果と一致することを示している。その修正は,背の高いピラーとは対称的にコンパクトな球においてはより大きな拘束に関係することを提案しているが,しかし証明はしていない。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 歪硬化 ,  *ケイ素 ,  柱 ,  球 ,  応力歪特性 ,  ナノインデンテーション ,  転位【結晶】 ,  核形成 ,  単結晶 ,  ナノ粒子 ,  圧縮 ,  塑性 ,  n値【加工硬化】

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： サブ ,  シリコン ,  ピラー ,  球 ,  ひずみ硬化