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J-GLOBAL ID：201202264457324892   整理番号：12A0363653

Ge基板上のEr₂O₃薄膜の成長と電気特性への温度効果

Temperature effects on the growth and electrical properties of Er₂O₃ films on Ge substrates

著者 (8件)： JI T. ,  NIE T.x. ,  CUI J. ,  FANG Z.b. ,  YANG X.j. ,  FAN Y.l. ,  ZHONG Z.y. ,  JIANG Z.m.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 8  ページ： 3406-3409  発行年： 2012年02月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Er₂O₃薄膜を,分子線エピタキシによってGe(001)基板上に金属Erと分子酸素ソースを使い,温度以外は同一条件で異なる温度で成長させた。薄膜の微細構造と組成を評価するのに高解像度の透過電子顕微鏡とX線光電子分光法を用いた。室温で堆積した薄膜は,Er₂O₃層と厚み5.5nmのErGe_xO_y界面層から成るたことを見つけた。300°Cで成長させた薄膜は,Er₂O₃とErGe_xO_yの混合構造を持ち,そして,厚みは2.2nmまで減ることを見つけた。450°Cで成長させた薄膜は,薄膜下に形成したボイドでより粗くなり,Er₂O₃,GeOとErGe_xO_yの3つの化合物の混合構造を持つ。異なる温度での薄膜の成長メカニズムを示唆した。トンネル原子間力顕微鏡で得た電流画像は450°Cで成長させた薄膜がRTと300°Cで成長させた薄膜よりずっと多くの漏れスポットを持つことを示した。これは,薄膜での揮発性GeOの形成から起こるかもしれない。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ゲルマニウム ,  基板 ,  *酸化エルビウム ,  電気的性質 ,  温度 ,  原子間力顕微鏡 ,  酸化ゲルマニウム ,  揮発性 ,  *MBE成長 ,  微細構造 ,  電子顕微鏡観察 ,  X線光電子分光法 ,  酸化物 ,  エルビウム化合物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  境界層 ,  *混合物 ,  *基板温度

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ge基板 ,  Er2O3 ,  薄膜 ,  成長 ,  電気特性 ,  温度効果