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J-GLOBAL ID：201202264542817040   整理番号：12A0531437

p型GaNへのNi/Ag/Ptコンタクトのキャリア輸送メカニズム

Carrier Transport Mechanism of Ni/Ag/Pt Contacts to p-Type GaN

著者 (3件)： PARK Youngjun (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  AHN Kwang-Soon (Yeungnam Univ., Gyeongsan, KOR) ,  KIM Hyunsoo (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 3  ページ： 680-684  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 中程度にMgをドープしたp-GaN(試料A)と高濃度のMgをドープしたp-GaN(試料B)にコンタクトしたNi/Ag/Ptのキャリア輸送メカニズムを調べた。Mgドーピング濃度によってキャリア輸送メカニズムは試料Aの熱イオン場放出と試料Bの深レベル欠陥(DLD)帯を経由するキャリア輸送に分類される。それぞれの比接触抵抗は試料Aで7.1×10^-2Ωcm²であり,試料Bでは7.0×10^-2Ωcm²である。試料AではSchottky障壁高さは0.94eVあり,界面キャリアが4.5×10¹⁹cm^-3なので薄い障壁を通した電場放出である。試料Bではキャリア輸送が価電子帯よりもDLD帯を通して行われるので実効障壁高さは0.12eVと計算され,優れたオーミックコンタクトの説明に充分なり得る。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  輸送現象 ,  電気伝導 ,  マグネシウム ,  ドーピング ,  *接触抵抗 ,  イオン放出 ,  Schottky障壁 ,  Ohm接触 ,  ニッケル ,  銀 ,  白金 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： GaN ,  オーミックコンタクト ,  *キャリア輸送 ,  熱イオン放出

分類 (2件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  Ni ,  Ag ,  Pt ,  コンタクト ,  キャリア輸送 ,  メカニズム