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J-GLOBAL ID：201202264550663710   整理番号：12A0215604

有機薄膜トランジスタの高移動度n型共役ポリマに於けるゲート誘電体の影響

The influence of gate dielectrics on a high-mobility n-type conjugated polymer in organic thin-film transistors

著者 (5件)： LI Jinhua (Dep. of Applied Physics and Materials Res. Centre, The Hong Kong Polytechnic Univ., Hung Hom, Kowloon, Hong Kong, CHN) ,  DU Jun (Dep. of Electronic Engineering, The Chinese Univ. of Hong Kong, Shatin, New Territories, Hong Kong, CHN) ,  XU Jianbin (Dep. of Electronic Engineering, The Chinese Univ. of Hong Kong, Shatin, New Territories, Hong Kong, CHN) ,  CHAN Helen L. W. (Dep. of Applied Physics and Materials Res. Centre, The Hong Kong Polytechnic Univ., Hung Hom, Kowloon, Hong Kong, CHN) ,  YAN Feng (Dep. of Applied Physics and Materials Res. Centre, The Hong Kong Polytechnic Univ., Hung Hom, Kowloon, Hong Kong, CHN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 3  ページ： 033301  発行年： 2012年01月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高移動度n型半導体ポリ{[n,n9-ビス(2-オクチルドデシル)-ナフタレン-1,4,5,8-ビス(ジカルボキシイミド)-2,6-ジイル]-alt-5,59-(2,29-ビチオフェン)}P(NDI2OD-T2)と異なるポリマゲート誘電体に基づく有機薄膜トランジスタが作製される。平均電子移動度はゲート誘電体定数が2.6から7.8に増加すると0.76から0.08cm²/Vsに減少する。P(NDI2OD-T2)膜は非通常の対面分子充填を示し,これは結果として電子とゲート誘電体間の短い距離と明白な相互作用になる。誘電体定数増加による電子移動度の減少は,ゲート誘電体中チャネルとイオン分極雲中電子の間の相互作用に対するフローリッヒポラリトン効果に起因する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,  *キャリア移動度 ,  重合体 ,  N型半導体 ,  *高分子半導体 ,  *交互共重合体 ,  イミド ,  誘電率 ,  P4VP ,  ポリビニルアルコール ,  特性 ,  高分子薄膜 ,  硫黄複素環化合物 ,  脂肪族カルボン酸 ,  オレフィン化合物 ,  不飽和カルボン酸 ,  カルボン酸エステル ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *ゲート誘電体 ,  トランスファー特性 ,  共役ポリマ ,  電子移動度 ,  *有機薄膜トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (4件)： 2,2′-ビチオフェン ,  4-ビニルフェノール ,  メタクリル酸メチル ,  2,7-ビス(2-オクチルドデシル)-4-(2,2′-ビチオフェン-5-イル)ベンゾ[lmn][3,8]フェナントロリン-1,3,6,8(2H,7H)-テトラオン

タイトルに関連する用語 (4件)： 有機薄膜トランジスタ ,  高移動度 ,  共役ポリマ ,  ゲート誘電体