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J-GLOBAL ID：201202264704315176   整理番号：12A1006116

斜軸4H-SiC(0001)上のエピタキシャルグラフェンのマイクロおよびナノ規模電気的特性評価

Micro- and Nano-Scale Electrical Characterization of Epitaxial Graphene on Off-Axis 4H-SiC(0001)

著者 (5件)： GIANNAZZO F. (IMM, CNR, Catania, ITA) ,  BONGIORNO C. (IMM, CNR, Catania, ITA) ,  DI FRANCO S. (IMM, CNR, Catania, ITA) ,  RIMINI E. (IMM, CNR, Catania, ITA) ,  RAINERI V. (IMM, CNR, Catania, ITA)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 717/720  号： Pt.1  ページ： 637-640  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： 4H-SiC ,  エピタキシャルグラフェン ,  規模 ,  電気的特性 ,  評価