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J-GLOBAL ID：201202265041701162   整理番号：12A0895199

昇華結晶表面のステップ流により誘起されるステップバンチングプロセス

Step bunching process induced by the flow of steps at the sublimated crystal surface

著者 (2件)： ZALUSKA-KOTUR Magdalena A. (Inst. of Physics, Polish Acad. of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, POL) ,  KRZYZEWSKI Filip (Inst. of Physics, Polish Acad. of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, POL)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 11  ページ： 114311-114311-8  発行年： 2012年06月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： キネティックモンテカルロ法とBurton-Cabrera-Frank式に基づくモデルと比較することにより,ステップのあるGaN(0001)表面について調べた。高温昇華過程において表面パターンが連続して変化する舞台について議論した。低い昇華速度では,形が明確ではっきりしたステップ隆起が形成された。このプロセスは,Schwoebelバリアがない,あるいは非常に低い状態で起こった。いくつかの隆起はよく分離しており,ゆっくり移動し,真っすぐのままであった。二重ステップ形成が主となるようなより急速な昇華過程では,プロセスの性格が変化し,迷路や局所隆起とともに規則性が少ない表面パターンとして集まった。一次元系について書かれた解析式の解から,ステップバンチングはステップ移動により引き起こされる粒子の移流により誘起されることを確かめた。ステップの両側が対称的な場合には,Schwoebelバリアが低いことにより動いているステップに向かう相対的な粒子の流れが重要になる。シミュレーションにより,非常に高いSchwoebelバリアという反対の極限ではステップは壊れ,粗い表面が形成されることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *表面ステップ ,  *ステップ流 ,  *昇華 ,  *表面構造 ,  モンテカルロ法 ,  *窒化ガリウム ,  隆起 ,  粒子 ,  移流 ,  障害物 ,  シミュレーション ,  格子気体 ,  静電相互作用 ,  拡散 ,  脱着 ,  力学モデル
準シソーラス用語： キネティックモンテカルロ法 ,  *ステップバンチング ,  *ステップ状単結晶表面 ,  格子ガス ,  成長モデル ,  脱離 ,  粒子間相互作用

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 昇華 ,  結晶表面 ,  ステップ流 ,  誘起 ,  ステップバンチング ,  プロセス