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J-GLOBAL ID：201202265234561961   整理番号：12A0549646

強誘電体ダイオードに及ぼす強誘電体パラメータの効果

Effect of ferroelectric parameters on ferroelectric diodes

著者 (6件)： GE Chen (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing 100190, CHN) ,  JIN Kui-juan (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing 100190, CHN) ,  WANG Can (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing 100190, CHN) ,  LU Hui-bin (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing 100190, CHN) ,  WANG Cong (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing 100190, CHN) ,  YANG Guo-zhen (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing 100190, CHN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 5  ページ： 054104-054104-5  発行年： 2012年03月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電体ダイオードに様々な強誘電体パラメータ(ドーピング密度,誘電率,膜厚など)が及ぼす効果を提案した自己無撞着数値モデルを用いて調べた。金属/強誘電体/金属構造のバンド構造,電荷密度分布及びI-V曲線の強誘電体パラメータに対する依存性が計算から明かになった。計算から強誘電体ダイオードのオン/オフ比は,強誘電体薄膜のドーピング密度,誘電率,膜厚とともに増大することが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *固体素子 ,  MIM構造 ,  *強誘電体 ,  ドーピング ,  濃度依存性 ,  誘電率 ,  バンド構造 ,  電荷分布 ,  密度 ,  密度分布 ,  *電流電圧特性 ,  誘電分極 ,  比率
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  *強誘電体ダイオード ,  電荷密度 ,  膜厚依存性

分類 (2件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (3件)： 強誘電体 ,  ダイオード ,  パラメータ