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J-GLOBAL ID：201202265499249145   整理番号：12A1515864

Eu注入AlNにおける損傷形成機構

Mechanisms of damage formation in Eu-implanted AlN

著者 (5件)： LECLERC S. (CIMAP, CNRS-CEA-ENSICAEN-UCBN, 6 Bd Marechal Juin, 14050 Caen Cedex 4, FRA) ,  LACROIX B. (CIMAP, CNRS-CEA-ENSICAEN-UCBN, 6 Bd Marechal Juin, 14050 Caen Cedex 4, FRA) ,  DECLEMY A. (Inst. Pprime, Dep. Physique et Mecanique des Materiaux, CNRS-Universite de Poitiers-ENSMA, BP 30179, 86 962 ...) ,  LORENZ K. (Instituto Tecnologico e Nuclear, Instituto Superior Tecnico, Universidade Tecnica de Lisboa, EN 10, 2686-953 Savacem ...) ,  RUTERANA P. (CIMAP, CNRS-CEA-ENSICAEN-UCBN, 6 Bd Marechal Juin, 14050 Caen Cedex 4, FRA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 7  ページ： 073525-073525-6  発行年： 2012年10月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温でAlN中にEuイオンを300keVで注入したときの損傷発展をX線回折(XRD)と透過電子顕微鏡観察(TEM)により調べた。低フルエンスでは,点欠陥と積層欠陥(SF)のクラスタが共存している埋め込み層中の歪みは(フルエンスとともに)増大した。高フルエンスでは,埋め込み層中の歪みは飽和し,XRD曲線は特徴的な様相を示した。それはTEMの結果と相俟って,空間的に分離された拡張領域と収縮領域の特定を可能にする。これらの観察結果から,次のような損傷機構を提案した。点欠陥を捕獲してSFが成長するにつれて基底SFとプリズマティックSFの密集ネットワークが形成される。これは埋め込み損傷領域から点欠陥放出を引き起こすので歪みは飽和する。この過程において,過剰な格子間原子は未損傷バルク領域に向けて移動する。それらはクラスタを形成し,大きな歪みを誘起する。一方,表面に向けて放出された点欠陥は,格子間原子か空孔かに依存して,孤立したまま残るか,孤立した転位ループやSFを形成する。これは,おそらく,GaNとの主な違いだろう。GaNでは,埋め込み損傷層から放出された欠陥が,密集したSFネットワークの表面へ向けた速い増殖に寄与する。これはSFの形成エネルギーが比較的低いためである。その結果,GaN表面はナノ結晶化する。しかし,AlNでは,フルエンスが極端に高い(約10¹⁷/cm²)にもかかわらず,埋め込み層中に打ち込み原子が閉じ込められて,埋め込み層は非晶質化する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  化合物半導体 ,  *イオン注入 ,  ユウロピウム ,  照射損傷 ,  *格子欠陥 ,  格子歪 ,  電子顕微鏡観察 ,  フルエンス

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Eu ,  注入 ,  AlN ,  損傷