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J-GLOBAL ID：201202265524637414   整理番号：12A1212762

トポロジカル絶縁体Bi₂Te₃上の二層Bi(111)膜の分子ビームエピタクシー: 走査型トンネル顕微鏡研究

Molecular beam epitaxy of bilayer Bi(111) films on topological insulator Bi₂Te₃: A scanning tunneling microscopy study

著者 (7件)： CHEN Mu (State Key Lab. for Surface Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  PENG Jun-ping (State Key Lab. for Surface Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  ZHANG Hui-min (State Key Lab. for Surface Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  WANG Li-li (State Key Lab. for Surface Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  HE Ke (State Key Lab. for Surface Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  MA Xu-cun (State Key Lab. for Surface Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  XUE Qi-kun (State Key Lab. for Surface Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 8  ページ： 081603-081603-4  発行年： 2012年08月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トポロジカル絶縁体Bi₂Te₃上の二層Bi(111)膜の分子ビームエピタクシーについて報告する。その場走査型トンネル顕微鏡観察/分光法は基板温度の上昇と共にBi成長モードが準層状からステップフローに変化することを示した。二層Bi(111)は電子供与挙動を示し,Bi₂Te₃のDirac点を80meV下方偏移させた。二層膜とBi₂Te₃膜の間の局所仕事関数の差は390meVと測定された。観測に基づいて,図式的エネルギーバンド図を提唱し,Bi/Bi₂Te₃界面におけるバンド湾曲効果を明らかにした。本研究はBiの薄膜及び二層島状構造のエキゾチックなトポロジー的性質の研究に道を開く。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *絶縁材料 ,  テルル化物 ,  ビスマス化合物 ,  *MBE成長 ,  *電子顕微鏡観察 ,  バンド構造 ,  仕事関数 ,  *絶縁体 ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： Dirac点 ,  エネルギーバンド ,  テルル化ビスマス

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： トポロジカル絶縁体 ,  二層 ,  Bi ,  分子ビームエピタクシー ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  研究