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J-GLOBAL ID：201202265527885966   整理番号：12A0676469

ペンダント2-メチルベンゾチアゾールを含むポリメタクリレートに基づく新しいDRAM-型記憶デバイス

A new DRAM-type memory devices based on polymethacrylate containing pendant 2-methylbenzothiazole

著者 (8件)： WANG Dong (Key Lab. of Organic Synthesis of Jiangsu Province, Coll. of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Sci. ...) ,  LI Hua (Key Lab. of Organic Synthesis of Jiangsu Province, Coll. of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Sci. ...) ,  LI Najun (Key Lab. of Organic Synthesis of Jiangsu Province, Coll. of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Sci. ...) ,  ZHAO Ying (Key Lab. of Organic Synthesis of Jiangsu Province, Coll. of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Sci. ...) ,  ZHOU Qianhao (Key Lab. of Organic Synthesis of Jiangsu Province, Coll. of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Sci. ...) ,  XU Qingfeng (Key Lab. of Organic Synthesis of Jiangsu Province, Coll. of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Sci. ...) ,  LU Jianmei (Key Lab. of Organic Synthesis of Jiangsu Province, Coll. of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Sci. ...) ,  WANG Lihua (Key Lab. of Organic Synthesis of Jiangsu Province, Coll. of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Sci. ...)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 134  号： 1  ページ： 273-278  発行年： 2012年05月15日 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 良好な熱安定性をもつペンダント2-メチルベンゾチアゾール(pBVMA)を含むポリメタクリレートをフリーラジカル重合によって合成した。pBVMAに基づくデバイスは,底面の酸化インジウムスズ(ITO)と頭部のAl電極から成るサンドイッチ構造をしている。製造時デバイスは,10⁵までのオン/オフ電流比での動的ランダムアクセスメモリ(DRAM)挙動を示し,1Vのパルス電圧下で10⁸の読み出しサイクルに耐えることができる。デバイス性能に対する膜厚の影響を調べ,75nmおよび45nm厚のpBVMA膜で製造したデバイスは,両方ともDRAM型のメモリ挙動を示すことが見出され,これはAlナノ粒子が真空析出処理の間に薄膜中に浸透しないことを示唆している。分子シミュレーションおよび物理理論モデルを解析し,DRAM性能の機構は分子の弱い電子吸引能に起因すると思われる。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ポリメタクリル酸エステル ,  ラジカル重合 ,  酸化インジウムスズ ,  電極 ,  サンドイッチ構造 ,  *DRAM ,  膜厚 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： *ポリメタクリレート ,  フリーラジカル重合 ,  ITO ,  アルミニウム電極 ,  *動的ランダムアクセスメモリ ,  分子シミュレーション

分類 (1件)： 分子構造と性質の実験的研究  (CB01020I)

物質索引 (1件)： 2-メチルベンゾチアゾール

タイトルに関連する用語 (2件)： ポリメタクリレート ,  記憶デバイス